mosfet可以说是最常见的晶体管，几乎不需要通过输入电流来控制负载电流。

    mosfet多种多样，但是基本都能够分成两类，增强型和耗尽型。

    然后这两种类型可以用作n沟道或者p沟道。

    mosfet是平面晶体管，而胡正明发明的finfet架构则是3d的晶体管，3d晶体管能够克服晶体管本身可能遭遇的短沟道效应。

    简单来说finfet能以更低的成本实现更高的性能指标。finfet的设计主要为突破25nm制程，解决mosfet由于制程缩小伴随的隧穿效应。

    当然从finfet这个架构2000年被胡正明提出，到2001年胡正明加入台积电作为首席专家，台积电在2002年12月才拿出第一个真正意义上的finfet晶体管。

    而一直到了2012年商用22nm的finfet架构的晶体管才面世。

    这是一个非常漫长的过程。

    周新要讲的是mosfet架构的某一种优化。

    带有些许的finfet架构思想在其中。

    但是顺着这条路去思考，反而会走上弯路。

    “......我们可以发现当一端没有电压时，通道会显示最大电导。当两端电压同为正或同为负的时候，通道的电导率会降低。

    我们尝试关闭不导通的区域，让mosfet在该区域工作的时候，把欧姆区作为放大器。

    在饱和区mosfet的ids是恒定的，尽管vds增加并且一旦vds超过夹断电压vp的值就会发生。

    在这种情况下，该设备将像一个闭合的开关一样工作，饱和的ids值流过该开关。

    因此，无论何时需要mosfet执行开关操作，都会选择该工作区域......

    这样一来我们就能够让mosfet在较低电压下以更高效率运行。”

    周新的论文讲完后台下响起了礼貌的掌声。

    因为周新的内容是纯粹的模型，也就是从理论层面讲述一个更加优秀的mosfet架构，而缺乏实验数据。

    很多东西模型设计的很完美，不代表在实验室复刻出来真的有这么完美。

    现实世界是无法像理论推演一样完美的。

    不过单纯从内容上来说，周新的mosfet架构给了在场的研究人员们很多思考。

    后续一些关于论文本身内容的提问，周新也回答的挑不出任何毛病。

    在提问环节结束后，在场的掌声要真诚很多。

    论文本身能够证明一部分，提问环节能够进一步验证周新自身的实力。

    大家都是研究人员，财富和资产只是附加项，你本身在科研方面的实力才会让在场的研究人员们产生亲近的情绪。

    这小子和我们是一路人。

    “非常不错，如果你不是我的学生，我会以为你是来开过很多次的老手。

    你表现得很成熟，以后多来几次基本上大家都熟悉你了，后续你想做点什么，认识这帮人对你来说很有好处。

    也许他们不会跟你回华国，但是你可以把研发中心设在硅谷或者欧罗巴。

    这对你来说再简单不过了。”胡正明在台下等周新下来之后边鼓掌边用中文说道。

    “后续我会带你挨個去认识，我觉得在集成电路领域研究方向比较有前景的一些科研人员。

    你现在是不是还想回华国搞集成电路领域的创业？”胡正明接着问道。

    人的观念是不停在变的。

    周新在阿美利肯已经实现了财富自由，胡正明担心对方想法变了，所以特意多问了一句。

    周新点头道：“是的，华国在集成电路领域太落后了。

    我还是想回去培养一批人才。

    根据我的观察，国外半导体领域的巨头们在华国成立的分公司很少。

    即便有分公司，成立的分公司也是做一些组装、封测相对低端且没有技术含量的工作。”

    “以英特尔为例，英特尔去年在燕京成立了研发中心，但是研发中心主要是软件层面的研发，而不涉及硬件层面。”

    “这很大一部分原因是因为华国还没有加入wto。

    在华国代工有人力成本上的优势，但是关税方面会抵消这部分优势。

    同时华国在半导体领域缺乏工程师，很多东西需要从零开始培养。

    我预计在华国加入wto之后，各大集成电路领域的公司都会陆续进入华国办厂。

    就和这些公司去霓虹、高丽、弯弯成立代工厂是一样的。

    这对华国来说是机遇，利用这些集成电路公司办厂，来培养